一言以蔽之：BSIM是業界最廣泛被使用的電晶體模型。
1970年代起，由於MOSFET開始被使用在VLSI裡面，foundry可以把許多電晶體組合到單一晶片，使得積體電路開始起飛，製程也不斷地演進。
隨著製程的演進，電路越來越多，就開始需要模擬的模型。早年的模型，像是MOS1，是從元件物理出發，假設MOSFET是long-channel而且dopping是均勻的，所以很容易手算。到了第二代的MOS2，則是引進了更多的元件物理特性。然而隨著製程不斷地微縮，MOSFET是long-channel的這個假設再也不成立，因此第三代的MOS3就導入了一些經驗上的參數，來描述short channel effect。MOS1、MOS2、MOS3這類型的model就從1971年的10um製程一直被使用到1984年的1um製程。
到了1980年代，這時候MOSFET的short channel effect再也不能忽視，所以胡正明教授就帶領團隊開發了一套新的模型，也就是BSIM。BSIM的全名是Berkeley Short-channel IGFET Model，顧名思義，就是由UC Berkeley（柏克萊大學）所開發的MOSFET model。
BSIM裡面的insulated-gate field-effect-transistor (IGFET)這個字，就是MOSFET的別名。我猜當年不取MOSFET而用IGFET的目的，就是希望讓縮寫是BSIM而不是BSMM，畢竟BSIM可以發音成B-sim，還暗示這是Berkeley simulation，以方便記憶。
第一代BSIM，也就是BSIM1，用在0.8um的製程。後面又改版出了BSIM2，可以用到0.35um的製程，風行於1990年代初期。由於製程越來越複雜，BSIM2為了比BSIM1更準，就使用了更多的fitting parameter。到了BSIM3，開發團隊不想使用越來越多的參數，因此導入了二維分析，也就是開始解quasi two-dimensional的Poisson equation，希望使用物理公式來導出device特性，BSIM3適用到2000年的0.15um。BSIM4則是最末代的bulk MOSFET model，適用於0.13um到20nm，大概是2001年到2012年左右。
從2012年左右開始的FinFET，就把MOSFET從平面拉到了立體，所以就得開發新的BSIM架構。屬於FinFET的BSIM-CMG模型，在2012年被發表。除此之外，BSIM團隊也有開發給silicon-on-insulator製程的BSIM-SOI模型。
目前BSIM的家族總共有五種模型：
- BSIM-CMG: for common multi-gate device (FinFET)
- BSIM-IMG: for independent multi-gate device (front- and back-gate)
- BSIM-SOI: for silicon-on-insulator device
- BSIM-BULK: for bulk MOSFET (charge-based model)
- BSIM4: for bulk MOSFET (threshold voltage-based model)
BSIM電晶體模型無疑是業內最廣泛被使用的模型，不過有一些特性（例如layout depedent effect）在BSIM裡面沒有被描述，因此各家foundry都有自己的know-how來補強模型。