一言以蔽之：調整die的aspect ratio可以增加產出。
8吋、12吋、18吋晶圓分別是直徑200mm、300mm、450mm的圓形，以12吋wafer作為例子，其面積為𝝿*(150mm)²≈70685mm²。
如果有一顆die，其die含切割道的面積為65mm²，那麼每片12吋晶圓可以切出70685mm²/65mm²=1087顆die，1087這數字就叫做GDPW（Gross Die Per Wafer）每片晶圓能產出的晶粒數。
不過這數字是理想值，揉饅頭時，每一顆剩下的麵糰可以湊一湊，再揉一顆新饅頭，但晶圓曝光和切割可不是麵粉，剩下的wafer邊角廢料只能丟掉，另外，實際上圓形週遭的面積也無法使用（因為週遭的應力大，這叫Edge Clearance），所以真正的數字會比1087顆少。
以下圖為解說，這一片wafer只能切出7顆die，其他的部分都只能浪費掉了。
有人就說，那如果不要置中曝光呢？是的，如下圖所示，這樣就可以切出8顆die了。
不過，這些都不是最好的方法，最好的方法是變更設計，在功能不減損、die size不減少的情況下，我們可以改變die的aspect ratio，也就是長寬比例。同樣65mm²的die，只要從長方形變成正方形，可以切割出來的晶粒數就會上升了，如下圖所示。
如果想知道真正Gross Die Per Wafer的數字，這網站有提供試算，以上面這個例子來說，只有953顆而已。
