2025年台積電技術研討會

一言以蔽之:2025年台積電技術研討會的主題是人工智慧。

TSMC Technology Symposium

一年一度台積電技術研討會的臺灣場次於上週四舉辦了,去年全球有八場,今年減少在以色列海爾茲利亞的那場,可能是因為加薩衝突的原因。

DateTitleCity
2025/04/23 (Wed.)North America Technology Symposium聖塔克拉拉
2025/04/29 (Tue.)Austin Technology Workshop奧斯汀
2025/05/06 (Tue.)Boston Technology Workshop波士頓
2025/05/15 (Thu.)Taiwan Technology Symposium新竹
2025/05/27 (Tue.)Europe Technology Symposium阿姆斯特丹
2025/06/11 (Wed.)Japan Technology Symposium橫濱
2025/06/25 (Wed.)China Technology Symposium上海

去年的主題是「Powering AI with Silicon Leadership」,今年的主題則是「Advancing the AI Future」,連續兩年都是以人工智慧為主軸。根據官網的說明,研討會將分享:

大綱內容與去年的差異
產業領先的解決方案高效能運算、智慧型手機、物聯網、車用相同,但更著重在人工智慧
先進的邏輯技術進展5奈米、4奈米、3奈米、2奈米、16埃米新增16埃米。其實官網的介紹都會少講一代,16埃米在去年就已經揭露了,今年新揭露的是14埃米
前瞻矽堆疊封裝技術TSMC-SoIC(系統整合晶片)、整合型扇出(InFO)、晶片堆疊在基板(CoWoS)、系統級晶圓(TSMC-SoW)新增TSMC-SoW,並且將前瞻封裝大綱挪到特殊製程前面
特殊製程的技術突破超低功耗、射頻、嵌入式記憶體、電源管理、感測器技術、矽光子新增矽光子,並且將特殊製程大綱挪到前瞻封裝後面
卓越製造的工廠成就卓越製造、產能擴張計劃、綠色製造相同
開放創新平臺的生態加速設計時程去年的用字是加速效率,今年的用字是加速時程

貴賓分享

主題演講來賓有兩位,分別是聯發科總經理陳冠洲、台達電電源與系統事業群總經理陳盈源。

聯發科指出,資料中心的投資不斷加大,預計到2029年將有一兆美元,其中一半是半導體。在AI晶片驅動之下,再加上其他產品線的成長,在2030年半導體產業的總產值將達一兆美元(其中五千億美元為資料中心貢獻)。聯發科還強調AI是真實存在,並將在未來對人類造成巨大影響。在這充滿不確定性的時代,聯發科有兩件確定的事情,一是持續投資重要技術,二是與夥伴的關係。

台達電指出,AI雖然帶動了設備需求蓬勃發展,但其背後的挑戰是很巨大的,包括電從哪裡來、熱要怎麼排。AI晶片在短短六年間功耗翻了六倍,單一機櫃的用電量跟一萬戶家庭一樣多,這種城市級耗能容易導致跳電,台達電導入動態負載補償模組來降低對電網的衝擊。至於第二個瓶頸——散熱,台達電把氣冷換成水冷,將熱排出資料中心。台達電還推出模組化集裝箱,用戶只需接上水電,就可以快速啟用。

邏輯技術

前述提到半導體總產值將達一兆美元,台積電估計各產品線比例分別為:

  • 高效能運算/人工智慧:45%
  • 智慧型手機:25%
  • 車用:15%
  • 物聯網:10%
  • 其他:5%

台積電最新邏輯製程藍圖如下,這表與去年的藍圖有些細微差異:高階產品的部分,因應高效能運算,將A16提前到N2X前面,並發表了最新的(第二代)nanosheet A14;主流產品的部分,新增了N3C,這是優化製程密度的節點。

量產年20202021202220232024202520262026.520272028
高階產品N5N5P
N7A
N4N3
N4P/N4X
N3E
N5A
N2
N3P/N3X
N2P
N3A
A16N2XA14
主流產品12FFC+
16FFC+
N6N4PN4CN3C

N2P是N2的改良版,相比於N3E,速度有18%的增加、能耗有36%的減少、邏輯密度有20%的增加、晶片密度有15%的增加。A16是第一個擁有super power rail的版本,相比於N2P,速度有8~10%的增加、能耗有15~20%的減少、晶片密度有7~10%的增加。A14是一個新的完整節點,相比於N2,速度有10~15%的增加、能耗有25~30%的減少、邏輯密度有23%的增加、晶片密度有20%的增加。

技術創新

我們知道16nm到3nm是FinFET,而後的2nm、A16、A14都是nanosheet。那未來的半導體會是長什麼樣子的呢?台積電闡述了這些技術創新。

首先是CFET,就是將nFET垂直堆疊在pFET上面,可以節省一半的面積,2024年IEDM期刊中展示了一顆CFET inverter,有很好的特性。

其次是材料換成過渡金屬二硫屬化物(一層過渡金屬原子夾在兩層硫族原子之間,形成的二維材料),這類材料的結構穩定,也有band gap可作為0/1開關,還有不錯的mobility,是製造電晶體的優秀候選人。奈米碳管的mobility更高,還可以在低電壓下運行,也可能是下一代電晶體。

至於互連的導線,目前是使用銅線,未來可能會換成有氣隙的新型金屬材料,可進一步降低電阻和耦合電容。另外,石墨烯也是另一種有前景的材料,可顯著減少互連的延遲。

堆疊封裝

台積電提出,先進的電晶體技術也需要配合先進的封裝整合技術,才能為客戶提供完整的產品級解決方案,其3DFabric技術組合如下:

  • 3D矽堆疊
    • TSMC-SoIC(系統整合晶片)
      • SoIC-P
      • SoIC-X
  • 先進封裝
    • 晶片堆疊在基板(CoWoS)
      • CoWoS-S
      • CoWoS-L/R
    • 整合型扇出(InFO)
      • InFO-PoP
      • InFO-2.5D
    • 系統級晶圓(TSMC-SoW)
      • SoW-P
      • SoW-X

3DIC的創新,是把矽晶片堆疊起來,包括face-to-back與face-to-face,N5晶片疊在N6晶片上、N4晶片疊在N5晶片上皆已量產,後續還有N3疊N4、N2疊N3、A14疊N2等。

對於2.5/3D的整合,則有CoWos、InFO、SoW,CoWos和InFO已量產多年,誠如台積電資深副總經理張曉強說的,CoWoS在臺灣隨便抓路人都知道。

最新的SoW技術將整合規模拓展至晶圓級,包括先晶片的SoW-P,把晶片放在晶圓上,然後建構RDL來連線;還有後晶片的SoW-X,先在晶圓上構建中介層,再添加晶片。SoW可以大幅突破光罩尺寸限制,例如特斯拉的超級電腦Dojo,就是用SoW實現的。

卓越製造

台積電持續擴產以滿足客戶需求,而且新廠建置速度越來越快。

  • 2020年前,平均每年建三座廠
  • 2021年~2024年,平均每年建五座廠
  • 2025年,今年將擴建九座廠,包含八座晶圓廠以及一座先進封裝廠

在四月的法說會中,台積電指出經營海外晶圓廠的成本變得更高,預期會使毛利率下降,將利用規模成長來改善成本結構。在技術研討會上,台積電指出,海外美國廠與日本廠的量產良率和母廠相近,也是回應投資人的擔憂。


參考資料: